چهار مرحله تولید ویفر سیلیکونی

تاکنون روش های مختلفی برای تولید ویفر سیلیکونی ارائه شده است. روش مرسوم تولید آن چند مرحله دارد:

1. رشد چکسلواکی (Czochralski Growth)
2. برش و سایش (Grinding and Slicing)
3. دورگیری و قلمزنی (Lapping and Etching)
4. جلادادن و تمیزکردن (Polishing and Cleaning)

در مرحله یک، مرحله رشد چکسلواکی، از ظرف ذوب فلز برای ذوب کوارتز (ماده سیلیکونی، گرافیت) بهره می‌برند. در این مرحله کریستال سیلیکونی یا CZ تولید می‌شود.

در مرحله دو از روش‌های پیشرفته برش با استفاده از سیم‌های ساینده چندتایی برای برش شمش سیلیکونی بهره می‌برند. در واقع، در این مرحله کریستال سیلیکونی برش می‌خورد تا به قطر و ضخامت مورد نظر برسد. یک برش سطحی برای تشخیص سمت کریستال اضافه می‌شود. برای برش تک کریستال یا شمش سیلیکونی راهنماهای سیم به وسیله یک متحرک می‌چرخند. این سیم‌ها با خرده الماس پوشیده شده‌اند.

در مرحله سه نازک‌سازی نهایی و حذف نواحی آسیب دیده احتمالی با گرداندن آن در محلول آبی مثل آب آهک (یا KOH، یا HNO3/HF) و با دقت صورت می‌گیرد.

در مرحله چهار پس از صیقل دادن و جلادادن شمش اصلی با گرداننده ها، ویفر نهایی آماده ارائه است

در این ویدئو این چهار مرحله به صورت پویانمایی نشان داده می‌شود.